近期路透社曾報道，韓國存儲芯片大廠SK海力士在江蘇無錫工廠引進EUV光刻機的計劃可能面臨擱淺，原因是美國方面反對EUV光刻機這類先進設備進入中國大陸。

這一問題之前在SK海力士內部引起了相當程度的關注，以至于CEO李錫熙在7月訪問華盛頓期間向美國官員提出了相關關切，不過短期來看阻力顯然不小。李錫熙在11月22日的一場活動上表示，（基于EUV的）第四代DRAM芯片從7月開始在韓國生產，要在我們的中國工廠應用相同的技術還有很長的路要走，將在與相關方面合作的同時明智地應對此事。

此前SK海力士宣布斥資約43億美元在未來5年內持續(xù)從阿斯麥采購EUV光刻機，其在韓國本土的工廠已經引進EUV光刻技術，并于去年7月開始成功量產基于EUV的10nm第四代DRAM芯片；計劃引入無錫工廠的EUV光刻機也將用于生產10nm DRAM芯片。

據(jù)悉，SK海力士在無錫工廠所生產的DRAM內存芯片占其產量的約一半，占全球總產量的15%，因此設備升級受阻或將對市場產生重大影響，也將使SK海力士在與三星、美光的競爭中處于劣勢。

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