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雷鋒網(wǎng)按：本文作者鐵流，雷鋒網(wǎng)首發(fā)文章。
日前，華為新款旗艦手機P10上市后被網(wǎng)友曝出閃存讀寫速度不同。在4月18日，華為回應(yīng)稱，公司與多個供應(yīng)商合作，向消費者提供優(yōu)秀的產(chǎn)品體驗和服務(wù)；并且還表示，一部手機的體驗是否流暢，不是單純由某個單一部件性能決定的，而是由軟件系統(tǒng)和硬件系統(tǒng)綜合設(shè)計和優(yōu)化來決定。
據(jù)網(wǎng)友爆料，在華為P10閃存門事件之后，華為下架了測試軟件，使用戶無法通過測試軟件評測閃存性能。
華為P10“閃存門”起源于一些網(wǎng)友在購買P10手機后，經(jīng)過測試軟件發(fā)現(xiàn)華為P10系列手機閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。
根據(jù)網(wǎng)友爆料：發(fā)現(xiàn)P10閃存規(guī)格縮水導(dǎo)致的讀寫速度嚴(yán)重下降問題還真的不少。
所以能夠判斷的是，現(xiàn)售P10機型中，不同等級不同規(guī)格的閃存芯片應(yīng)該是混著在用，并不全是最開始銷售的那批UFS2.1，大致看了下讀寫速度，降速版本的P10持續(xù)讀寫大概是270MB/s以及123MB/s，隨機讀寫速度大概是38MB/s和18.7MB/s，而最早第一批購買的P10持續(xù)讀寫速度大概是754MB/s以及181MB/s，隨機讀寫速度大概是167MB/s和147MB/s，另外還有一個版本（手上的這臺P10Plus 64GB）是持續(xù)讀寫速度550MB/s和143MB/s，隨機讀寫速度94MB/s和56MB/s，降速版本的實際讀寫速度差不多就等于目前普通emmc5.0 64GB的水準(zhǔn)，和最開始的滿血版確實性能差距明顯。
雖然有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，根源在于不同批次生產(chǎn)的P10手機可能分別采用了eMMC5.1和UFS2.0和UFS2.1方案，所以導(dǎo)致了閃存速度差異。但降速版本的實際讀寫速度差不多就等于目前普通emmc5.0 64GB的水準(zhǔn)，這個已經(jīng)不是采用eMMC5.1方案能自圓其說的了。畢竟在理論上，最新的eMMC 5.1標(biāo)準(zhǔn)理論帶寬為600MB/s左右（就eMMC標(biāo)準(zhǔn)純粹從理論上說，eMMC 4.4標(biāo)準(zhǔn)的讀取速度大約為104MB/s，eMMC 4.5標(biāo)準(zhǔn)則為200MB/s，eMMC 5.0標(biāo)準(zhǔn)為400MB/s），即便實際測試要打一個折扣，也不至于出現(xiàn)如此大的差距。
eMMC是由MMC協(xié)會所訂立的、主要是針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。在核心算法上，eMMC和SSD比較相似。不過，相對于SSD需要外部的主控，eMMC的主控集成在芯片內(nèi)部，所以eMMC芯片可以直接以芯片形式（比如BGA封裝）焊接在電路板，通過MMC協(xié)議接入系統(tǒng)總線，不同廠商和制程下接口協(xié)議相同。由于現(xiàn)在的ARM CPU以及Intel Atom CPU都直接支持MMC協(xié)議存儲，所以可以直接使用eMMC芯片而無需額外的接口控制芯片，現(xiàn)在的一部分手機和一部分平板電腦都是這種形式。
由此可見，eMMC方案其實就是一個迷你版的不需要外部主控（主控已經(jīng)集成在芯片內(nèi)部）的SSD，eMMC方案也要用到NAND Flash，而根據(jù)媒體爆料，華為部分P10采用的eMMC芯片，其中部分NAND Flash恐怕存在產(chǎn)品品質(zhì)比較一般——有可能存在部分eMMC芯片采用了TLC存儲顆粒，而且還是品質(zhì)比較一般的TLC存儲顆粒（有網(wǎng)友爆料采用的是閃迪TLC顆粒，酷比魔方999平板同款）。
其實除了MLC和TLC，還有一種更高端的SLC，先解釋下什么是SLC、MLC、TLC。
SLC全稱Single-Level Cell，每Cell僅存放1bit數(shù)據(jù)，速度快壽命長，價格非常昂貴，價格至少是MLC的3倍以上。
MLC全稱Multi-Level Cell，每Cell僅存放2bit數(shù)據(jù)，速度一般壽命一般。
TLC全稱Trinary-Level Cell，每Cell僅存放3bit數(shù)據(jù)，速度慢壽命短，價格便宜。
為什么SLC速度快壽命更長呢？SLC架構(gòu)由于每Cell僅存放1bit數(shù)據(jù)，故只有高和低2種電平狀態(tài)。而MLC架構(gòu)每Cell需要存放2個bit，即電平至少要被分為4檔。
每Cell只有開和關(guān)兩種狀態(tài)，非常穩(wěn)定，就算其中一個Cell損壞，對整體的性能也不會有影響。而MLC有四種狀態(tài)，意味著MLC存儲時要更精確地控制每個存儲單元的充電電壓，讀寫時就需要更長的充電時間來保證數(shù)據(jù)的可靠性，而且一旦出現(xiàn)錯誤，就會導(dǎo)致2倍及以上的數(shù)據(jù)損壞。
而SLC價格更貴的原因在于SLC的一個Cell只存1bit數(shù)據(jù)，MLC或TLC的一個Cell卻能存2bit或者更多的bit數(shù)據(jù)，但芯片的體積并沒增加，等于壓縮存儲了數(shù)據(jù)，這樣的結(jié)果就是相同的一塊芯片存儲的容量變大，因此，MLC或TLC的自然價格就便宜了。
事實上，正是因為SLC價格高、壽命長、速度快，因而很少被用于民用產(chǎn)品，哪怕是某實際成本200美元，售價高達(dá)六七千人民幣的手機，依舊存在MLC和TLC混用的問題。
而華為本次的情況，則有可能是重復(fù)了前人的故事，而且采用的TLC品質(zhì)比較一般，因而導(dǎo)致了降速版本的實際讀寫速度差不多就等于目前普通emmc5.0 64GB的水準(zhǔn)。
USF方案是電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會提出的，UFS2.0標(biāo)準(zhǔn)和UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)在理論性能上是優(yōu)于eMMC5.1方案。因此一般在千元級上會采用eMMC5.0或eMMC5.1，在2500元以上的中高端手機上會采用UFS2.0和UFS2.1。
因此，華為P10這次引起不少用戶憤怒的原因就在于將原本用在千元機上的eMMC5.1方案用到了售價高達(dá)3788元的華為高端機型上。
造成這種問題的原因很可能是供應(yīng)鏈的問題——同樣是搭載麒麟960的手機，無論是mate9還是榮耀V9，都沒有被媒體爆出大規(guī)模使用emmc5.1的情況。而在華為P10上采用emmc5.1去替代ufs2.1，恐怕是今年眾多高端手機采用ufs2.1方案后，特別是作為安卓機皇的三星S8即將上市，在大家搶產(chǎn)能的情況下，華為對供應(yīng)鏈的掌握已然失控，只能用emmc5.1去頂替ufs2.1了。
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