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臺積電2nm工藝重大突破!2023年風(fēng)險試產(chǎn)良率或達90%

本文作者: 包永剛 2020-09-22 18:27
導(dǎo)語:有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET),臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構(gòu)

據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道,臺積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進度超前,業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達到90%。供應(yīng)鏈透露,有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET),臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構(gòu)。

臺積電2nm工藝重大突破!2023年風(fēng)險試產(chǎn)良率或達90%

據(jù)悉,臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團隊,尋找可行路徑進行開發(fā)??剂砍杀?、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件,2nm采以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。

極紫外光(EUV)微顯影技術(shù)的提升,使臺積電研發(fā)多年的納米片(Nano Sheet)堆疊關(guān)鍵技術(shù)更為成熟,良率提升進度較預(yù)期順利。臺積電此前透露2nm研發(fā)生產(chǎn)將在新竹寶山,規(guī)劃P1到P4四個超大型晶圓廠,占地90多公頃。

臺積電2nm工藝重大突破!2023年風(fēng)險試產(chǎn)良率或達90%

圖片來源:臺灣經(jīng)濟日報

以臺積電2nm目前的研發(fā)進度研判,供應(yīng)鏈預(yù)計臺積電2023年下半年可望進入風(fēng)險性試產(chǎn),2024年正式量產(chǎn)。今年4月也有報道指出,臺積電已經(jīng)在研究2024年的2nm iPhone處理器,并且已經(jīng)開始研究2nm以下的節(jié)點。

晶體管是突破先進半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵。比如在45nm的階段,業(yè)界引入了high-k值絕緣層/金屬柵極(HKMG)工藝,在32nm處引入了第二代 high-k 絕緣層/金屬柵工藝。但當晶體管尺寸小于25nm時,傳統(tǒng)的平面場效應(yīng)管的尺寸已經(jīng)無法縮小。

加州大學(xué)伯克利分校胡正明教授發(fā)明的鰭式場效晶體管(Fin Field-Effect Transistor)解決了這一問題,其主要思想就是將場效應(yīng)管立體化,這種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管,可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。

得益于FinFET 的發(fā)明,2011年英特爾推出了商業(yè)化的22nm FinFET。此后,基于FinFET業(yè)界將半導(dǎo)體制程從22nm一直向前推進到如今的5nm。但5nm制程已經(jīng)將晶體管縮至原子級,硅原子的直徑是0.117nm,3nm差不多是25個硅原子首尾相連的長度。

想要繼續(xù)微縮半導(dǎo)體制程,需要引入新的技術(shù)。臺積電2nm采用的GAA(Gate-all-around,環(huán)繞閘極)或稱為GAAFET,它和FinFETs有相同的理念,不同之處在于GAA的柵極對溝道的四面包裹,源極和漏極不再和基底接觸。

根據(jù)設(shè)計的不同,GAA也有不同的形態(tài),目前比較主流的四個技術(shù)是納米線、板片狀結(jié)構(gòu)多路橋接鰭片、六角形截面納米線、納米環(huán)。

臺積電2nm工藝重大突破!2023年風(fēng)險試產(chǎn)良率或達90%

三星對外介紹的GAA技術(shù)是Multi-Bridge Channel FET(MBCFET),即板片狀結(jié)構(gòu)多路橋接鰭片。

臺積電同樣采用MBCFET架構(gòu)。臺積電總裁魏哲家日前于玉山科技協(xié)會晚宴專講時透露,臺積電制程每前進一個世代,客戶的產(chǎn)品速度效能提升30%- 40%,功耗可以降低20%-30%。

在GAA技術(shù)的采用上,三星更顯激進。據(jù)悉三星3nm就會導(dǎo)入GAA,使其3nm工藝相比7nm性能提升35%,功耗降低50%。但臺積電要到2nm才會導(dǎo)入GAA技術(shù)。

臺積電2nm工藝重大突破!2023年風(fēng)險試產(chǎn)良率或達90%

圖片來源:IBS

GAA可以帶來性能和功耗的降低,但成本也非常高。市場研究機構(gòu)International Business Strategies (IBS)給出的數(shù)據(jù)顯示,28nm之后芯片的成本迅速上升。28nm工藝的成本為0.629億美元, 5nm將暴增至 4.76 億美元。三星稱其3nm GAA 的成本可能會超過5億美元。

新的晶體管也可能帶來革命性的改變,雷鋒網(wǎng)今年6月報道,一種叫做Bizen的晶體管架構(gòu),可能從另一方向打破CMOS極限。

 本文參考雷鋒網(wǎng)

https://money.udn.com/money/story/5612/4875791#prettyPhoto

https://www.chainnews.com/articles/871450913791.htm

https://zh.wikipedia.org/wiki/FinFET 雷鋒網(wǎng)

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