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強迫癥有救了!科學(xué)家證實:非侵入性磁刺激可消除負(fù)面記憶

本文作者: 付靜 2020-08-04 10:48
導(dǎo)語:消除負(fù)面記憶不止存在于藝術(shù)家的想象之中。

科學(xué)背后是嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臄?shù)據(jù),需要經(jīng)年累月的嘗試與驗證,而藝術(shù)卻有著無限的想象空間。

「消除負(fù)面記憶」,這件我們一直以來希望實現(xiàn)、卻又害怕實現(xiàn)的事情,在不少科幻作品中早有所體現(xiàn);而在現(xiàn)實生活中,利用基因編輯、注射藥劑等方式消除令人痛苦的回憶,也開始成為眾多科研人員的著眼點。

一組來自意大利博洛尼亞大學(xué)的研究人員提出了一種設(shè)想:以非侵入性的方式,對大腦特定部位進(jìn)行磁刺激,從而刪除負(fù)面記憶。

當(dāng)?shù)貢r間 7 月 30 日,他們將實驗成果發(fā)表于學(xué)術(shù)期刊《當(dāng)代生物學(xué)》(Current Biology),論文題為 State-Dependent TMS over Prefrontal Cortex Disrupts Fear-Memory Reconsolidation and Prevents the Return of Fear(經(jīng)前額葉皮層的狀態(tài)依賴性磁刺激干擾恐懼記憶重建、防止恐懼情緒回歸)。

強迫癥有救了!科學(xué)家證實:非侵入性磁刺激可消除負(fù)面記憶

重復(fù)磁刺激實現(xiàn)記憶反固化

要刺激大腦消除記憶,首先要找準(zhǔn)位置——「背外側(cè)前額葉皮層」。

在我們的大腦中,有一塊名為前額葉皮層的部位,認(rèn)知、情緒、疼痛和行為管理等都與之相關(guān)。

顧名思義,前額葉皮層就是我們前額頭后面的那部分大腦皮層,靈長類生物在進(jìn)化中變化最大的也正是這一部位。

這一部位有多智能呢?如果有人跟你提起一處你曾去過的風(fēng)景名勝,你的大腦各個部位會提取出相關(guān)的信息,比如地理位置、建筑風(fēng)格、顏色等等,而所有零散的信息只要經(jīng)過前額葉皮層就可得到整合,所有你記憶中關(guān)于那個風(fēng)景名勝的信息得以輸出。

如下圖所示,前額葉皮層包括背外側(cè)前額葉皮層(Dorsolateral Prefrontal Cortex,dlPFC)和眶額皮層(Orbitofrontal Cortex),而博洛尼亞大學(xué)團(tuán)隊選擇的是能夠控制記憶檢索、激活記憶、重組記憶的 dlPFC。

強迫癥有救了!科學(xué)家證實:非侵入性磁刺激可消除負(fù)面記憶

找到目標(biāo)位置后,科研團(tuán)隊就該考慮如何刺激大腦了。

實際上,要想把一段短期記憶變成長期記憶,大腦就要做出努力,避免這段記憶因為刺激或者傷病受干擾,而這個過程就叫做「固化」(consolidation)。

可見,想要消除一段記憶,就是要完成固化的反過程,將記憶的狀態(tài)由穩(wěn)定變?yōu)椴环€(wěn)定。而這種反過程被科學(xué)家們稱為是「反固化」(reconsolidation)。

博洛尼亞大學(xué)團(tuán)隊決定通過重復(fù)經(jīng)顱磁刺激(rTMS)的方式進(jìn)行反固化,這種方式無痛、無創(chuàng),可以改變 dlPFC 部位神經(jīng)活動的磁場。

至此,消除記憶的原理已經(jīng)很明確了。那么,具體如何操作呢?

研究人員選定了 84 位身體狀況良好(這里指沒有與實驗中將產(chǎn)生的恐懼記憶類似的任何記憶)的參與者進(jìn)行實驗——參與者接受負(fù)面刺激形成恐懼記憶,研究人員于次日(24 小時后)通過提示激活參與者的恐懼記憶并觀察其反應(yīng),再對參與者進(jìn)行 10 分鐘的 rTMS。

用皮電反應(yīng)證明可行性

這之后,研究人員對參與者進(jìn)行了皮電反應(yīng)(GSR)。

所謂皮電反應(yīng),實際上是心理學(xué)領(lǐng)域的一項情緒生理指標(biāo),代表著機體受刺激時皮膚電傳導(dǎo)的變化。這項實驗中,皮膚電傳導(dǎo)的變化反映了 rTMS 的效果好壞。

皮電反應(yīng)的結(jié)果顯示,在 rTMS 次日(24 小時后),參與者對恐懼記憶的生理反應(yīng)有顯著減少。

強迫癥有救了!科學(xué)家證實:非侵入性磁刺激可消除負(fù)面記憶

值得一提的是,前額葉皮層在一定程度上具有不對稱性,所以研究人員在實驗中分別檢測了參與者左右兩側(cè)的 dlPFC 變化,并發(fā)現(xiàn) rTMS 次日(24 小時后)左右兩側(cè) dlPFC 對恐懼記憶的生理反應(yīng)減少的程度相近——也就是說不論在哪一側(cè),rTMS 都發(fā)揮了積極效用。

不過,研究團(tuán)隊也發(fā)現(xiàn)下列情況中參與者對恐懼記憶的生理反應(yīng)并未有任何變化:

  • 在 rTMS 剛進(jìn)行之后就對參與者進(jìn)行皮電反應(yīng);

  • 對沒有恐懼記憶的參與者進(jìn)行 rTMS。

更為重要的是,在經(jīng)過 rTMS 之后,參與者的恐怖記憶也并未恢復(fù)。

綜合上述結(jié)果來看,rTMS 對 dlPFC 的影響將隨著時間的推移而變化;在記憶反固化過程中,以無創(chuàng)的方式刺激大腦消除記憶是可行的。

基于此,研究人員認(rèn)為:

這些發(fā)現(xiàn)為理解恐懼記憶重新整合的機制提供了方向;同時,對于靶向情緒、適應(yīng)不良記憶也具有潛在臨床意義。這些發(fā)現(xiàn)將對恐懼癥、創(chuàng)傷后應(yīng)激障礙、強迫癥等疾病的治療提供思路。

這里需要解釋的是,在強迫癥的范疇中,有一種記憶強迫癥。其原因在于,由于心理防御意識過強,強迫記憶會帶來心理與行為方面的障礙,使得患者整天處于惶恐、焦慮的情緒中。有研究表明,記憶強迫癥患者時常會將大腦空間都留給各種回憶,因此會出現(xiàn)記憶問題。

實際上,各地的研究團(tuán)隊已經(jīng)研發(fā)出了不少消除負(fù)面記憶的技術(shù),比如:

  • 在大腦特定區(qū)域注射異丙酚(一種全身麻醉劑),給藥 24 小時后負(fù)面記憶得以被破壞;

  • 利用光遺傳學(xué)技術(shù)刺激海馬體的特定區(qū)域,實現(xiàn)對消極記憶的消除;

  • 開發(fā)受光遺傳學(xué)啟發(fā)的類腦芯片,通過模仿大腦存儲和刪除信息的方式消除消極記憶;

  • 基于基因編輯實現(xiàn)特定記憶的精準(zhǔn)刪除。

可見,消除負(fù)面記憶已經(jīng)不止存在于藝術(shù)家的想象之中,用前沿技術(shù)實現(xiàn)科幻作品中的構(gòu)想成為可能。

引用來源:

https://doi.org/10.1016/j.cub.2020.06.091

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